進行開關電源的電磁兼容性設計時 ,首先進行一個系統設計 , 明確以下幾點:
1. 明確系統要滿足的電磁兼容標準;
2. 確定系統內的關鍵電路部分 ,包括強干擾源電路、高度敏感電路;
3. 明確電源設備工作環境中的電磁干擾源及敏感設備;
4. 確定對電源設備所要采取的電磁兼容性措施。
一、DC/DC變換器內部噪聲干擾源分析
1.二極管的反向恢復引起噪聲干擾
在開關電源中常使用工頻整流二極管、高頻整流二極管、續流二極管等 , 由于這些二極管都工作在開關狀態 ,如圖所示 ,在二 極管由阻斷狀態到導通工作過程中 ,將產生一個很高的電壓尖峰VFP;在二極管由導通狀態到阻斷工作過程中 ,存在一個反向 恢復時間trr,在反向恢復過程中 , 由于二極管封裝電感及引線電感的存在 ,將產生一個反向電壓尖峰VRP, 由于少子的存儲與 復合效應 ,會產生瞬變的反向恢復電流IRP,這種快速的電流、電壓突變是電磁干擾產生的根源。
電流電壓波形圖
二極管反向恢復時電流電壓波形 二極管正向導通電流電壓波形
2.開關管開關動作時產生電磁干擾
二極管反向恢復時電流電壓波形 二極管正向導通電流電壓波形
在正激式、推挽式、橋式變換器中 ,流過開關管的電流波形在阻性負載時近似矩形波 ,含有豐富的高頻成分 ,這些高頻諧波會 產生很強的電磁干擾 ,在反激變換器中 ,流過開關管的電流波形在阻性負載時近似三角波 ,高次諧波成分相對較少 。開關管在 開通時 , 由于開關時間很短以及逆變回路中引線電感的存在 ,將產生很大的dV/dt突變和很高的尖峰電壓 ,在開關管的關斷
時 , 由于關斷時間很短 ,將產生很大的di/dt突變和很高的電流尖峰 ,這些電流、電壓突變將產生很強的電磁干擾。
3. 電感、變壓器等磁性元件引起的電磁干擾:在開關電源中存在輸入濾波電感、功率變壓器、隔離變壓器、輸出濾波電感等 磁性元件 , 隔離變壓器初次級之間存在寄生電容 ,高頻干擾信號通過寄生電容耦合到次邊;功率變壓器由于繞制工藝等原因 , 原次邊耦合不理想而存在漏感 ,漏電感將產生電磁輻射干擾 ,另外功率變壓器線圈繞組流過高頻脈沖電流 ,在周圍形成高頻電 磁場; 電感線圈中流過脈動電流會產生電磁場輻射 ,而且在負載突切時 ,會形成電壓尖峰 , 同時當它工作在飽和狀態時 ,將會 產生電流突變 ,這些都會引起電磁干擾。
4.控制電路中周期性的高頻脈沖信號如振蕩器產生的高頻脈沖信號等將產生高頻高次諧波 ,對周圍電路產生電磁干擾。
5.此外電路中還會有地環路干擾、公共阻抗耦合干擾 , 以及控制電源噪聲干擾等。
6.開關電源中的布線設計非常重要 ,不合理布線將使電磁干擾通過線線之間的耦合電容和分布互感串擾或輻射到鄰近導線 上 ,從而影響其它電路的正常工作。
7.熱輻射產生的電磁干擾 ,熱輻射是以電磁波的形式進行熱交換 ,這種電磁干擾影響其它電子元器件或電路的正常穩定工 作。
二、外界的電磁干擾
對于某一 電子設備 ,外界對其產生影響的電磁干擾包括: 電網中的諧波干擾、雷電、太陽噪聲、靜電放電 , 以及周圍的高頻發 射設備引起的干擾。
三、電磁干擾的后果
電磁干擾將造成傳輸信號畸變 ,影響設備的正常工作 。對于雷電、靜電放電等高能量的電磁干擾 ,嚴重時會損壞設備 。而對于 某些設備 , 電磁輻射會引起重要信息的泄漏。
四、開關電源的電磁兼容設計
了解了開關電源內部及外部電磁干擾源后 ,我們還應知道 ,形成電磁干擾機理的三要素是還有傳播途徑和受擾設備 。因此開關 電源的電磁兼容設計主要從以下三個方面入手: 1,減小干擾源的電磁干擾能量;2,切斷干擾傳播途徑;3,提高受擾設備的 抗干擾能力。
正確了解和把握開關電源的電磁干擾源及其產生機理和干擾傳播途徑 ,對于采取何種抗干擾措施以使設備滿足電磁兼容要求非 常重要 。由于干擾源有開關電源內部產生的干擾源和外部的干擾源 ,而且可以說干擾源無法消除 ,受擾設備也總是存在 , 因此 可以說電磁兼容問題總是存在。
下面以隔離式DC/DC變換器為例 ,討論開關電源的電磁兼容性設計:
1. DC/DC變換器輸入濾波電路的設計
如圖所示 ,FV1為瞬態電壓抑制二極管 ,RV1為壓敏電阻 ,都具有很強的瞬變浪涌電流的吸收能力 ,能很好的保護后級元件或 電路免遭浪涌電壓的破壞 。Z1為直流EMI濾波器 ,必須良好接地 ,接地線要短 ,最好直接安裝在金屬外殼上 ,還要保證其輸 入、輸出線之間的屏蔽隔離 ,才能有效的切斷傳導干擾沿輸入線的傳播和輻射干擾沿空間的傳播 。L1、C1組成低通濾波電
路 , 當L1電感值較大時 ,還需增加如圖所示的V1和R1元件 ,形成續流回路吸收L1斷開時釋放的電場能 ,否則L1產生的電壓尖 峰就會形成電磁干擾 , 電感L1所使用的磁芯最好為閉合磁芯 ,帶氣隙的開環磁芯的漏磁場會形成電磁干擾 ,C1的容量較大為 好 ,這樣可以減小輸入線上的紋波電壓 ,從而減小輸入導線周圍形成的電磁場。
DC/DC變換器輸入濾波電路
2.高頻逆變電路的電磁兼容設計 ,如圖所示 ,C2、C3、V2、V3組成的半橋逆變電路 ,V2、V3為IGBT、MOSFET等開關元件 , 在V2、V3開通和關斷時 , 由于開關時間很快以及引線電感、變壓器漏感的存在 , 回路會產生較高的di/dt、dv/dt突變 ,從而形成 電磁干擾 ,為此在變壓器原邊兩端增加R4、C4構成的吸收回路 ,或在V2、V3兩端分別并聯電容器C5、C6,并縮短引線 ,減
小ab、cd、gh、ef的引線電感 。在設計中 ,C4、C5、C6一般采用低感電容 , 電容器容量的大小取決于引線電感量、回路中電流 值以及允許的過沖電壓值的大小 ,LI2/2=C△V2/2公式求得C的大小 ,其中L為回路電感 ,I為回路電流 ,△V為過沖電壓值。
為減小△V,就必須減小回路引線電感值 ,為此在設計時常使用一種叫“多層低感復合母排"的裝置 , 由我所申請的該種母 排裝置能將回路電感降低到足夠小 ,達10nH級 ,從而達到減小高頻逆變回路電磁干擾的目的。
開關管電流、電壓波形比較圖
從電磁兼容性設計角度考慮 ,應盡量降低開關管V2、V3的開關頻率 ,從而降低di/dt、dv/dt值 。另外使用ZCS或ZVS軟開關變換 技術能有效降低高頻逆變回路的電磁干擾 。在大電流或高電壓下的快速開關動作是產生電磁噪聲的根本 , 因此盡可能選用產生 電磁噪聲小的電路拓撲 ,如在同等條件下雙管正激拓撲比單管正激拓撲產生電磁噪聲要小 ,全橋電路比半橋電路產生電磁噪聲 要小。
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